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?光模块PCB’A的SMT（贴片）工艺难点解析

光模块本身体积非常小，其对应PCB’A上的元件密度大、尺寸小。一般片式元件(Chip)大都采用 0402封装，且0201封装也开始逐步推广。另外，由于光模块需要通过金手指（Golder Finger）与系统网络站进行连接，因此，金手指在 SMT过程中的“污染”问题也成为工艺难点之一。

另外，由于集成度非常高，有些光模块PCBA需要采用一些工艺创新方法：

?通孔接插件（THC：Through Hole Component）采用通孔回流焊新工艺（THR：Through Hole Reflow）；

?柔性线路板FPC（Flexible Printed Circuit）与硬制线路板PCB（Printed Circuit Board）之间采用软、硬板结合焊接新工艺（FoB：FPC on Board）；

?0402 片式（电）阻、（电）容之间的三维实装焊接新工艺（CoC：Chip on Chip）。

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POE以太网供电浪涌防护

  以太网供电技术（POE）的发展势头十分强劲，这一技术的发展可简化用电设备的安装和部署，因而省去了需要设置独立输电的专门用的线。现如今太网供电技术(POE)广泛用于安防、通信以及智能电网等工业系统，用以实现系统内的数据、视频传输、流量控制、以及通过总线实现供电。但由于工业以太网工作环境的严苛，对于POE端口的浪涌及静电防护不可少，下面就POE系统的防护方案做简单的介绍：

等 级：

（1）IEC61000-4-2: LEVEL4:Contact 8kv ; Air:15kv

（2）IEC61000-4-5: 10/700us LEVELX :6KV

原 理：以上两种方案采用两级保护前级为静电硅抑制器S.E.T与负钳位电压抑制器NVCS组合的方式对大的浪涌能量进行吸收和泄放，后级保护器件为静电保护器ESD，箝位电压准确，反应速度快.，对前级的残余能量进行吸收，把电压降低到后端电路可承受的范围内,保护后端芯片。在传统的48V电源防护中，为提高测试等级防护器件使用的比较多，占用体积大，且在残压的控制方面效果差，从而导致后端芯片损坏概率加大。为此SPSEMI瞬雷电子专门为POE(48V电源)研发的负钳位电压抑制器NVCS系列物料，该物料通流量大，体积小为SMC封装，在残压控制方面比传统的TVS物料低20V左右，对后端芯片可有效保护。

光模块如何调试

调试步骤需要调试的参数有眼图消光比、Tx功率、误码率、Rx功率。

（1）消光比。消光比的含义是指激光器在发射全“1”码时的光功率P1与全“0”码时发射的光功率P0之比。

（2）Tx功率。因为激光器输出功率会受到温度的影响导致不稳定，所以需要校准激光器Tx输出功率来达到输出功率随温度变化而波动较小的目的。

（3）误码率。误码率的检测步骤时通过误码仪发光，光模块接收到光信号后转成电信号传回给误码仪，误码仪通过比较发出的信号与接收到信号即可知道是否有误码。测试误码仪的光功率通常需要设置到待测光模块的高灵敏度。